芯片封装结构及其形成方法
授权
摘要
本申请的实施例提供一种芯片封装结构及其形成方法。此方法包含将芯片接合至第一基底的第一表面。此方法包含在第一基底的第二表面上形成虚设凸块。第一表面与第二表面相反，且虚设凸块与芯片电气绝缘。此方法包含切穿第一基底与虚设凸块以形成切割基底与切割虚设凸块。切割虚设凸块位于切割基底的角部之上，切割虚设凸块的第一侧壁与切割基底的第二侧壁大致上共平面，且切割虚设凸块的第三侧壁与切割基底的第四侧壁大致上共平面。
基本信息
专利标题 ：
芯片封装结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111354653A
申请号 ：
CN201911337054.6
公开（公告）日 ：
2020-06-30
申请日 ：
2019-12-23
授权号 ：
CN111354653B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
黄松辉黄冠育侯上勇林于顺黄贺昌许书嘉李百渊叶宫辰
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
傅磊
优先权 ：
CN201911337054.6
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/48 H01L23/498 H01L23/488
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-05 ：
授权
2020-07-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20191223
申请日 : 20191223
2020-06-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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