形成芯片封装体的方法和芯片封装体
实质审查的生效
摘要
提供了一种形成芯片封装体的方法。所述方法可以包括：提供其上形成有导电材料层的可延展载体；和将可延展载体形状配合地装配到芯片以用可延展载体至少部分地包围芯片；其中，所述层至少部分地物理接触芯片，使得所述层电接触芯片的芯片接触部，且所述层形成再分布层。
基本信息
专利标题 ：
形成芯片封装体的方法和芯片封装体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388375A
申请号 ：
CN202111159586.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·沙夫A·海因里希S·约尔丹
申请人 ：
英飞凌科技股份有限公司
申请人地址 ：
德国瑙伊比贝尔格市
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
周家新
优先权 ：
CN202111159586.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20210930
申请日 : 20210930
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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