芯片封装结构、形成方法及电子设备
公开
摘要
一种芯片封装结构、形成方法及电子设备，封装结构包括半导体基底，所述半导体基底的第一表面上贴装有至少第一芯片和第二芯片；位于所述半导体基底第一表面上的保护结构，所述保护结构包括至少第一空间和第二空间，所述第一空间为第一凹槽，所述第二空间为一密闭空腔，所述第一凹槽的底部到开口的第一深度大于所述密闭空腔内底部到顶部的第二深度；所述第一芯片位于所述第一凹槽的底部，所述第二芯片位于所述密闭空腔的底部。通过第一深度大于第二深度的第一凹槽和密闭空腔，可以实现位于第一凹槽内的第一芯片裸露以实现透光，同时对气密性有要求的第二芯片仍然在密闭空腔内，以满足气密性要求。
基本信息
专利标题 ：
芯片封装结构、形成方法及电子设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300932A
申请号 ：
CN202111454979.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任玉龙柳鹏
申请人 ：
上海炬佑智能科技有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区自由贸易试验区碧波路912弄18-19号1-3层
代理机构 ：
深圳市嘉勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN202111454979.6
主分类号 ：
H01S5/02315
IPC分类号 ：
H01S5/02315 H01S5/02345 H01S5/0237 H01S5/0239 H01S5/026
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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