一种层叠封装的下封装体结构及其形成方法
公开
摘要
本发明涉及一种层叠封装的下封装体结构的形成方法，包括：在衬底上形成临时键合牺牲层；在临时键合牺牲层上形成绝缘层和金属重布线互连结构；在金属重布线互连结构上形成金属柱和凸点下金属化层；将芯片焊接在凸点下金属化层上，并在芯片与绝缘层之间填充底填胶；芯片的背面贴装散热结构；进行晶圆塑封形成塑封层；去除衬底和临时键合牺牲层，露出部分金属重布线互连结构；以及在露出的金属重布线互连结构上植球，并将塑封晶圆切割，形成单个下封装体结构。
基本信息
专利标题 ：
一种层叠封装的下封装体结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582731A
申请号 ：
CN202210478836.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙鹏徐成曹立强
申请人 ：
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园D1栋
代理机构 ：
上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张东梅
优先权 ：
CN202210478836.7
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/56 H01L21/60 H01L23/367 H01L23/373 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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