封装件及其形成方法
实质审查的生效
摘要
方法包括：将互连结构附接至载体衬底，其中，每个互连结构包括：再分布结构；第一密封剂，位于再分布结构上；以及通孔，延伸穿过密封剂以物理和电连接至再分布结构；在互连结构上沉积第二密封剂，其中，相邻互连结构由第二密封剂横向分隔开；在沉积第二密封剂之后，将第一芯衬底附接至至少一个互连结构的再分布结构，其中，芯衬底电连接至再分布结构；以及将半导体器件附接至互连结构，其中，半导体器件电连接至互连结构的通孔。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
基本信息
专利标题 ：
封装件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334666A
申请号 ：
CN202111015586.5
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-08-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余振华陈玮佑吴俊毅刘重希李建勋
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202111015586.5
主分类号 ：
H01L21/48
IPC分类号 ：
H01L21/48 H01L21/768 H01L23/498 H01L25/07
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/48
应用H01L21/06至H01L21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/48
申请日 : 20210831
申请日 : 20210831
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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