封装装置及其形成方法

专利权的终止

摘要

一种封装集成电路管芯(12)的方法包括将软导电球(12)的阵列装载到形成于压板(50)中的凹部中并将压板(50)定位在模具腔的第一部分中的步骤。抵靠球(12)对模具的第二部分加压以使球的表面平坦化。然后将第一成型化合物(18)注入模具腔，使得成型化合物(18)围绕球(12)的露出部分。从压板移除球并将集成电路管芯(20)的第一侧附装到球(12)。将管芯第二侧上的管芯接合盘(28)电连接到围绕管芯(20)的相应多个球(12)，随后用第二成型化合物(24)封装管芯(20)、电连接(30)和导电球(12)的顶部。

基本信息

专利标题：

封装装置及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101044592A

申请号：

CN200580036220.9

公开（公告）日：

2007-09-26

申请日：

2005-09-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

奇·森格·富恩格

申请人：

飞思卡尔半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

柴毅敏

优先权：

CN200580036220.9

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L23/52 H01L23/48 H01L29/40