封装件及其形成方法
公开
摘要
本发明的实施例涉及封装件及其形成方法。方法包括将电容器管芯接合至器件管芯。器件管芯包括：第一半导体衬底；有源器件，位于第一半导体衬底的表面处；多个低k介电层；第一介电层，位于多个低k介电层中的顶部低k介电层上方并且与多个低k介电层中的顶部低k介电层接触；和第一多个接合焊盘，位于第一介电层中。电容器管芯包括：第二介电层，接合至第一介电层；第二多个接合焊盘，位于第二介电层中并且接合至第一多个接合焊盘；和电容器，电耦接至第二多个接合焊盘。在将电容器管芯接合至器件管芯之后，在电容器管芯上方形成含铝焊盘，含铝焊盘电耦接至器件管芯。在含铝焊盘上方形成聚合物层。
基本信息
专利标题 ：
封装件及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582836A
申请号 ：
CN202210091693.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
余振华蔡仲豪王垂堂陈颉彦
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN202210091693.4
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L25/16 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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