镶嵌结构与其形成方法
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摘要
本发明提供一种镶嵌结构与其形成方法，所述镶嵌结构的形成方法，基底具有形成于第一绝缘层中的导电层，护层形成于导电层上，蚀刻停止层形成于护层与第一绝缘层上，第二绝缘层于蚀刻停止层上，第一图案化光致抗蚀剂层形成于第二绝缘层上，且第一图案化光致抗蚀剂层具有第一图案，第一图案蚀刻至第二绝缘层与蚀刻停止层中，以形成第一开口，以介层插塞填充至少部分第一开口，抗反射涂布层形成于第二绝缘层上，第二图案化光致抗蚀剂层形成于抗反射涂布层上，且第二图案化光致抗蚀剂层具有第二图案，第二图案蚀刻至部分介层插塞、第二绝缘层与抗反射涂布层中，以形成第二开口，其中该第一与第二开口的交接处形成一大体上逐渐变窄的侧壁。
基本信息
专利标题 ：
镶嵌结构与其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828845A
申请号 ：
CN200510112678.X
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶名世蔡明兴眭晓林余振华
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510112678.X
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2008-12-17 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-22 ：
实质审查的生效
2006-11-08 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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