插栓的形成方法与双镶嵌结构的制造方法
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摘要
本发明是关于一种插栓的形成方法与双镶嵌结构的制造方法，所述插栓的形成方法包括：提供一半导体基底，其上形成有一低介电常数材料层，该低介电常数材料层具有一上表面以及形成穿过该低介电常数材料层的至少一介层开口；形成一第一插栓材料层于该低介电常数材料层上并填入于该至少一介层开口内，该第一插栓材料层具有一第一蚀刻率；回蚀刻该第一插栓材料层以形成部分填入于该至少一介层开口内的一第一插栓；形成一第二插栓材料层于该低介电常数材料层以及该第一插栓上；以及回蚀刻该第二插栓材料层以形成部分低于该低介电常数材料层的该上表面，该第二插栓材料层具有一第二蚀刻率。本发明可避免蚀刻停止层的蚀穿、篱笆及琢面轮廓等问题。
基本信息
专利标题 ：
插栓的形成方法与双镶嵌结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790662A
申请号 ：
CN200510115722.2
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
林建宏高颍真郑价言
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200510115722.2
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2008-04-30 ：
授权
2006-08-16 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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