金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法。提供用于形成高品质的单晶金刚石的金刚石形成用结构体、及该结构体的制造方法。金刚石形成用结构体(10)由基底基板(11)和在基底基板(11)上形成的Ir薄膜(12)构成。基底基板(11)的热膨胀系数为金刚石的热膨胀系数的5倍以下，并且基底基板(11)的熔点为700℃以上。Ir薄膜(12)的X射线衍射图案中的峰的角度与基底基板(11)的X射线衍射图案中的峰的角度不同。
基本信息
专利标题 ：
金刚石形成用结构体、及金刚石形成用结构体的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381802A
申请号 ：
CN202111232202.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
会田英雄泽边厚仁木村丰水野润大岛龙司
申请人 ：
国立大学法人长冈技术科学大学;泽边厚仁;木村丰;学校法人早稻田大学;株式会社迪思科
申请人地址 ：
日本新潟县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111232202.5
主分类号 ：
C30B29/04
IPC分类号 ：
C30B29/04 C30B25/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/04
金刚石
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/04
申请日 : 20211022
申请日 : 20211022
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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