金刚石单晶薄膜的制造方法
专利申请的视为撤回
摘要
金刚石单晶薄膜的制造方法，它属于一种用于半导体材料与器件的金刚石单晶薄膜制造方法。在以氢气和丙酮为反应气体，用微波等离子体CVD或热丝CVD在<111>取向的金刚石衬底上进行同质外延过程中，采用在反应气体中添加适量氧气和惰性气体，同时对衬底进行研磨处理的工艺，结果能得到平整光滑的，结晶完整性好的<111>取向同质外延金刚石单晶薄膜。
基本信息
专利标题 ：
金刚石单晶薄膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1096548A
申请号 ：
CN93112459.X
公开（公告）日 ：
1994-12-21
申请日 ：
1993-06-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张志明李胜华蔡琪玉闵乃本
申请人 ：
上海交通大学
申请人地址 ：
200030上海市华山路1954号
代理机构 ：
上海交通大学专利事务所
代理人 ：
罗荫培
优先权 ：
CN93112459.X
主分类号 ：
C23C16/26
IPC分类号 ：
C23C16/26 C23C16/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
1997-07-23 ：
专利申请的视为撤回
1995-10-11 ：
实质审查请求的生效
1994-12-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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