大单晶金刚石及其生产方法
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摘要
一种生产大单晶金刚石的方法，包括：(i)在金刚石生长室中将两个或更多个单晶金刚石衬底彼此相邻布置，其中每个单晶金刚石衬底包括至少两个具有不同晶体取向的相邻表面，(ii)使用金刚石生长工艺，在向上生长方向以及在横向生长方向上生长单晶金刚石衬底。
基本信息
专利标题 ：
大单晶金刚石及其生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110914204A
申请号 ：
CN201880028059.8
公开（公告）日 ：
2020-03-24
申请日 ：
2018-04-27
授权号 ：
CN110914204B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
D.S.米斯拉
申请人 ：
二A科技有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市珠烈街65号华侨银行大厦38－02/03室
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
徐晶
优先权 ：
CN201880028059.8
主分类号 ：
C03B29/04
IPC分类号 ：
C03B29/04 C30B25/20 B01J3/06 C01B32/25 C01B32/26
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C03
玻璃；矿棉或渣棉
C03B
玻璃、矿物或渣棉的制造、成型；玻璃、矿物或渣棉的制造或成型的辅助工艺
C03B29/00
使玻璃制品表面软化或熔融的再加热；火焰抛光；边熔
C03B29/04
连续式的
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2020-04-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C03B 29/04
申请日 : 20180427
申请日 : 20180427
2020-03-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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