一种MPCVD法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台
公开
摘要
本发明涉及一种MPCVD法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台，属于金刚石单晶的制备技术领域。本发明的方法，包括以下步骤：1)将单晶金刚石籽晶摆放到基片台的钼质基片台上；所述钼质基片台的背面开设有环槽和散热槽，所述散热槽开设于所述环槽的外侧并向外延伸；2)然后开启微波等离子体化学气相沉积设备采用等离子体化学气相沉积法沉积金刚石单晶。本发明的方法，通过在钼质基片台背面开设环槽和散热槽，能够降低钼质基片台边缘部位的散热效果，显著降低微波等离子体化学气相沉积金刚石单晶过程中单晶金刚石籽晶的温差，使得金刚石单晶批量化正式生长中生产效率及生长质量得到了极大的提高，有较好的工业应用价值。
基本信息
专利标题 ：
一种MPCVD法批量生产金刚石单晶的方法、钼质基片台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561698A
申请号 ：
CN202210199210.2
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲁振海黎振坤王蒙张春林常新磊
申请人 ：
河南天璇半导体科技有限责任公司
申请人地址 ：
河南省郑州市河南自贸试验区郑州片区（郑东）龙湖中环路与龙源西四街交叉口启迪郑东科技城产促中心2楼226号
代理机构 ：
郑州睿信知识产权代理有限公司
代理人 ：
李宁
优先权 ：
CN202210199210.2
主分类号 ：
C30B29/04
IPC分类号 ：
C30B29/04 C30B30/00 C23C16/27 C30B25/02 C30B25/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/04
金刚石
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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