Ti掺杂单层二硫化钼单晶及其制备方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种Ti掺杂单层二硫化钼单晶及其制备方法和应用，制备方法包括以下步骤：准备一两端敞口的石英管，所述石英管的两端分别为原料端和基底端，在所述石英管的基底端内放置一基底，在所述石英管的原料端内放置原材料和输运剂，对所述石英管抽真空，密封所述石英管，以使该石英管的管内压强为10‑6～10‑3Pa，对所述石英管的原料端和基底端同时加热0.5～1h，冷却至室温20～25℃，在基底上得到Ti掺杂单层二硫化钼单晶。本发明的制备方法可在保证单层MoS2单晶结晶质量的前提下，实现过渡元素Ti的对单层MoS2单晶面内取代掺杂，并实现MoS2光致发光强度的大幅增强。
基本信息
专利标题 ：
Ti掺杂单层二硫化钼单晶及其制备方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114457426A
申请号 ：
CN202111389147.0
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邱海龙马朝胡章贵吴以成
申请人 ：
天津理工大学
申请人地址 ：
天津市西青区宾水西道391号
代理机构 ：
天津创智睿诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
李蕊
优先权 ：
CN202111389147.0
主分类号 ：
C30B29/46
IPC分类号 ：
C30B29/46 C09K11/68 C30B1/10
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/46
申请日 : 20211122
申请日 : 20211122
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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