制备范德华二维层状单晶的方法
授权
摘要
本发明提供一种制备范德华二维层状单晶的方法，其包括如下步骤：(1)在石英管的一端放置原料和传输介质，然后抽真空；其中，放置原料和传输介质的一端称为原料端，石英管的另一端称为形核端；(2)使石英管的原料端的温度为T2，形核端的温度为材料的生长温度T1，并且使得原料端温度T2高于形核端温度T1，且控制原料端温度T2与形核端温度T1的温度差△T21为30‑100℃；(3)以相同的降温速率和升温速率，同步调控原料端温度T2与形核端温度T1，以实现降温幅度和升温幅度在1‑30℃范围，从而制备范德华二维层状单晶。本发明的方法解决了传统CVT技术存在的单晶生长慢，生长缺陷多且质量不稳定的技术难题，实现了在较低温度下形貌、质量可控的单晶生长。
基本信息
专利标题 ：
制备范德华二维层状单晶的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112779597A
申请号 ：
CN201911093004.8
公开（公告）日 ：
2021-05-11
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN112779597B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
李泽方郗学奎王文洪
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 ：
北京泛华伟业知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭广迅
优先权 ：
CN201911093004.8
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B29/12 C30B29/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2021-05-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 25/00
申请日 : 20191111
申请日 : 20191111
2021-05-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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