锗单晶制备装置以及锗单晶制备方法
实质审查的生效
摘要

本公开提供一种锗单晶制备装置以及锗单晶制备方法。锗单晶制备装置包括石英舟、石英管、进气管、排气管、感应加热机构、电阻加热器、移动机构以及角度调整机构;石英舟具有壁体、头挡板、尾挡板、碳膜、头端以及尾端;石英管用于收容盛放石英舟;进气管用于向封闭的石英管内通入吹扫气体或氢气,排气管用于将通入的吹扫气体或氢气排出;感应加热机构用于对石英管的至少对应整个石英舟的部分进行加热;电阻加热器连接于移动机构;移动机构能够从石英舟的头端向石英舟的尾端往复移动;角度调整机构用于调整石英管的头部和尾部相对彼此的高度。锗晶体制备方法采用前述的锗单晶制备装置。由此,能进一步提高所制备的锗单晶的纯度以及有效利用尺寸。

基本信息
专利标题 :
锗单晶制备装置以及锗单晶制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114540949A
申请号 :
CN202210188617.5
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
顾小英牛晓东赵青松狄聚青
申请人 :
安徽光智科技有限公司
申请人地址 :
安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
代理机构 :
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
张向琨
优先权 :
CN202210188617.5
主分类号 :
C30B27/00
IPC分类号 :
C30B27/00  C30B29/08  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 27/00
申请日 : 20220228
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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