大直径单晶的制备方法和装置

专利权的终止

摘要

本发明涉及一种培养具有预定取向的高熔点单晶的装置和方法，该单晶是通过浮动区法或悬浮区法从培养棒(3)培养的。该装置包括：培养棒(3)和晶核(4)，在其端部之间和与其紧邻地安装一个带状的并且设置有至少一个开口的电阻加热式加热带(6)，将其加热到晶体熔化温度，以便形成熔化区(5)，驱动机构(8、11)，以便在加热带(6)和紧邻加热带安装的晶核(4)和培养棒(3)之间产生相对移动，这样培养棒(3)的熔化液态材料通过加热带的各个开口获得，并通过冷却而在晶核(4)上引起单晶生长，和另一加热装置(15、16)，其设置在熔化区(5)的附近，以便设定熔化区(5)范围内的温度梯度。为了减小熔化区的温度梯度，所述另一加热装置(15、16)包括至少一个加热线圈(17、19)，其以射频驱动，其中这样彼此相对安装加热带(6)和各个加热线圈(17、19)，使得射频射线在加热带上耦合，以便在

基本信息

专利标题：

大直径单晶的制备方法和装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1847468A

申请号：

CN200510121747.3

公开（公告）日：

2006-10-18

申请日：

2005-12-02

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

B·霍佩M·施维策尔D·施普伦格D·韦德曼

申请人：

肖特股份有限公司

申请人地址：

德国美因茨

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

卢新华

优先权：

CN200510121747.3

主分类号：

C30B13/18

IPC分类号：

C30B13/18