一种高质量大直径SiC单晶的制备装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种高质量大直径SiC单晶的制备装置，属于SiC晶体生长领域，该装置包括坩埚、保温层、加热装置和多孔石墨桶；其中，所述坩埚位于保温层内；所述加热装置位于所述保温层的外侧；籽晶和所述多孔石墨桶位于坩埚内，与坩埚同轴；本实用新型SiC生长组分采用从坩埚外侧的原料到内侧的籽晶的输运方式，晶体生长的过程就是自然扩径过程，晶体直径扩大不受限制，同时晶体沿非极性生长面生长，穿透位错密度相比沿C轴生长大大降低；挨着坩埚壁而受热碳化的SiC原料产生的C颗粒被内侧的SiC原料和多孔石墨层有效阻挡，减少了晶体中的C包裹物，晶体质量得到了有效提高。
基本信息
专利标题 ：
一种高质量大直径SiC单晶的制备装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021499230.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-27
授权号 ：
CN212771047U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
刘新辉杨昆张福生路亚娟牛晓龙尚远航
申请人 ：
河北同光科技发展有限公司
申请人地址 ：
河北省保定市北三环6001号
代理机构 ：
北京连城创新知识产权代理有限公司
代理人 ：
许莉
优先权 ：
CN202021499230.4
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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