一种高质量SiC单晶片及其制备方法
授权
摘要
本发明公开了一种高质量SiC单晶片，包括：所述SiC单晶片具有直径不小于100mm的单一晶型；所述SiC单晶片从室温升温到1450℃以上，翘曲度值小于100μm，弯曲度绝对值小于60μm。本发明还提供了一种高质量SiC单晶片的制备方法。本发明提供的SiC单晶片的制备方法包括优选高质量的籽晶、生长参数稳定精确可控，通过原位退火、一次退火，尽可能地消除晶体内部残余应力；在加工过程中，尽量保持硅、碳面相近的表面状况，并在加工初期对研磨片进行退火，以降低晶片内部应力。因此，本发明提供的SiC单晶片的制备方法能够获得高温下具有良好面型参数的高质量SiC单晶片。
基本信息
专利标题 ：
一种高质量SiC单晶片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113046825A
申请号 ：
CN201911380293.X
公开（公告）日 ：
2021-06-29
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN113046825B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
娄艳芳刘春俊赵宁彭同华杨建
申请人 ：
北京天科合达半导体股份有限公司;北京天科合达新材料有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司;江苏天科合达半导体有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
纪志超
优先权 ：
CN201911380293.X
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B33/02 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-07-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 23/00
申请日 : 20191227
申请日 : 20191227
2021-06-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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