一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种在硅(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的方法,即分五步依次在超高真空环境下热处理硅衬底获得清洁的Si(111)面:1.低温沉积1~10nm厚的金属单晶薄膜如镁、钙、锶、镉等,2.低温氧化金属膜以获得金属氧化物单晶层,3.低温沉积氧化锌缓冲层,4.以及高温沉积氧化锌层,5.制备高质量氧化锌单晶薄膜;其优越的光电性能表明该薄膜非常适合于高性能光电子器件的制作。高质量硅基氧化锌薄膜在光电集成方面具有巨大的应用前景,因此,本发明具有重大的工业应用价值。
基本信息
专利标题 :
一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1912194A
申请号 :
CN200610064977.5
公开(公告)日 :
2007-02-14
申请日 :
2006-03-20
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杜小龙王喜娜曾兆权袁洪涛梅增霞薛其坤贾金锋
申请人 :
中国科学院物理研究所
申请人地址 :
100080北京市海淀区中关村南三街8号
代理机构 :
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人 :
尹振启
优先权 :
CN200610064977.5
主分类号 :
C30B29/16
IPC分类号 :
C30B29/16 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
2017-05-03 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101717367966
IPC(主分类) : C30B 29/16
专利号 : ZL2006100649775
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20081001
终止日期 : 20160320
号牌文件序号 : 101717367966
IPC(主分类) : C30B 29/16
专利号 : ZL2006100649775
申请日 : 20060320
授权公告日 : 20081001
终止日期 : 20160320
2008-10-01 :
授权
2007-04-11 :
实质审查的生效
2007-02-14 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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