一种单晶FBAR压电薄膜及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种空腔薄膜体声波谐振器，包括第一衬底、键合层、不透明介质层、压电振荡堆和金属pad层；其中，第一衬底上形成键合层，键合层上形成不透明介质层，不透明介质层上形成压电振荡堆，不透明介质层与压电振荡堆之间具有空腔，金属pad层与压电振荡堆相连。该谐振器表面粗糙度较低，同时该薄膜各区域厚度能够被较为方便和准确的测量。本发明还公开了一种空腔薄膜体声波谐振器的制备方法，该制备方法节省制备工序，简单、高效。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶FBAR压电薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362704A
申请号 ：
CN202111442142.X
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董树荣轩伟鹏刘刚金浩高峰骆季奎
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡红娟
优先权 ：
CN202111442142.X
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/17
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20211130
申请日 : 20211130
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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