氮化铝单晶薄膜制备方法、氮化铝单晶薄膜及发光二极管
授权
摘要
本发明提供一种氮化铝单晶薄膜制备方法、氮化铝单晶薄膜及发光二极管，所述氮化铝单晶薄膜制备方法包括，提供一衬底，依次于衬底上生成氮化铝薄膜，铝化层以及氮化铝外延层。利用本发明，可有效提高晶体稳定性，得到的晶体整片不雾化无裂纹、晶体质量高。
基本信息
专利标题 ：
氮化铝单晶薄膜制备方法、氮化铝单晶薄膜及发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112725896A
申请号 ：
CN201911028132.4
公开（公告）日 ：
2021-04-30
申请日 ：
2019-10-28
授权号 ：
CN112725896B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
周陈唐军牟伟明
申请人 ：
宁波安芯美半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
代理机构 ：
合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王挺
优先权 ：
CN201911028132.4
主分类号 ：
C30B29/38
IPC分类号 ：
C30B29/38 C30B23/02 C30B25/02 H01L21/02 H01L33/12
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/38
氮化物
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2022-03-25 ：
著录事项变更
IPC(主分类) : C30B 29/38
变更事项 : 申请人
变更前 : 宁波安芯美半导体有限公司
变更后 : 宁波安芯美半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
变更后 : 315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路136号数字经济产业园B区14号楼
变更事项 : 申请人
变更前 : 宁波安芯美半导体有限公司
变更后 : 宁波安芯美半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 315336 浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室
变更后 : 315336 浙江省宁波市杭州湾新区玉海东路136号数字经济产业园B区14号楼
2021-05-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/38
申请日 : 20191028
申请日 : 20191028
2021-04-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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