一种氮化铝薄膜及其制备方法和用途
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摘要
本发明涉及一种氮化铝薄膜及其制备方法和用途。所述方法采用远程等离子体增强原子层沉积系统，将铝源化学吸附到沉积对象的表面，将氮源与氢气的混合气体形成氮源的等离子体和氢气的等离子体，所述氮源的等离子体与化学吸附在沉积对象表面的铝源进行氮化反应，得到氮化铝薄膜。所述方法中，氢气形成的等离子体有助于破坏铝源的化学键，促进氮化反应，降低沉积温度，实现低温制备氮化铝薄膜，且对沉积对象的损伤较小。此外，所述方法在整个制备过程在强还原性气氛中进行，避免氧对氮化铝薄膜的不利影响。所述氮化铝薄膜均匀、质量高和保形性好，适用于各种衬底及其微纳结构与器件。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化铝薄膜及其制备方法和用途
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111364017A
申请号 ：
CN202010310886.5
公开（公告）日 ：
2020-07-03
申请日 ：
2020-04-20
授权号 ：
CN111364017B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
闫兰琴褚卫国徐丽华赵乐
申请人 ：
国家纳米科学中心
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村北一条11号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
巩克栋
优先权 ：
CN202010310886.5
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/455 C23C16/50 C23C16/52 H01L33/32
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-07-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/34
申请日 : 20200420
申请日 : 20200420
2020-07-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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