一种氮化铝薄膜及其制备方法和薄膜体声波滤波器
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摘要
本发明提供了一种氮化铝薄膜，所述氮化铝薄膜中掺杂有锗和钪；所述氮化铝薄膜的机电耦合系数为7.8%‑8.7%；所述氮化铝薄膜的晶面取向为（002）；所述氮化铝薄膜的制备方法包括如下步骤：S1于惰性气体下向Si表面溅射沉积Mo过渡层得到基底；S2在包括氮气和氩气的混合气体环境下，采用铝靶、钪靶和锗靶同时向所述基底表面溅射沉积氮化铝。本发明还提供了一种薄膜体声波滤波器。本发明提供的掺杂钪和锗的氮化铝薄膜，其在较低的钪掺杂量的情况下仍具有较高机电耦合系数。本发明提供的氮化铝薄膜的机电耦合系数高达8.7%。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化铝薄膜及其制备方法和薄膜体声波滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114094976A
申请号 ：
CN202210076682.9
公开（公告）日 ：
2022-02-25
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
CN114094976B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
杨斌陈功田孙景
申请人 ：
湖南大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号
代理机构 ：
广州市红荔专利代理有限公司
代理人 ：
李婷
优先权 ：
CN202210076682.9
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H9/17 H03H9/58 H03H3/02
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法律状态
2022-04-15 ：
授权
2022-03-15 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/02
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-02-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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