一种薄膜体声波滤波器的膜层结构及其制备方法
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摘要
本发明属于薄膜体声波滤波器工艺技术领域，具体涉及一种薄膜体声波滤波器的膜层结构及其制备方法；所述膜层结构包括硅晶圆衬底，在所述硅晶圆衬底的中央开设有空腔，在所述硅晶圆衬底上依次制备支撑层、下电极、压电层、上电极、保护层以及加厚层；所述下电极的厚度为50～350nm；所述压电层为氮化铝，其厚度为300～1000nm；所述上电极的厚度为50～350nm；所述加厚层为氮化硅，其厚度为30～300nm；本发明在不改变滤波器性能的情况下采用氮化硅代替钼，可以增加加厚层的厚度，减小工艺难度，提高膜厚的精度，进而提高滤波器的高频性能；另外，本发明在保护层上制作加厚层，可避免对电极的影响和滤波器性能的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种薄膜体声波滤波器的膜层结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111277240A
申请号 ：
CN202010154050.0
公开（公告）日 ：
2020-06-12
申请日 ：
2020-03-07
授权号 ：
CN111277240B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
刘娅马晋毅徐阳田本朗蒋平英谭发曾
申请人 ：
中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请人地址 ：
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 ：
重庆辉腾律师事务所
代理人 ：
王海军
优先权 ：
CN202010154050.0
主分类号 ：
H03H9/54
IPC分类号 ：
H03H9/54 H03H3/02
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-07-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 9/54
申请日 : 20200307
申请日 : 20200307
2020-06-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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