一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法，包括步骤如下：准备一类衬底材料、在一类衬底上生长AlN种子层和GaN剥离层、在GaN剥离层上生长AlN前驱体，AlN前驱体经高温高压热处理技术形成AlN缓冲层，在AlN缓冲层上制备压电层、采用激光剥离技术，将压电层键合至二类衬底材料，形成声波器件用压电薄膜模板。采用本发明的制备方法，在AlN缓冲层和压电层界面处形成位错湮灭层，降低压电层的位错密度，且高温高压热处理工艺避免GaN剥离层的分解及开裂问题。GaN的剥离，避免了二类衬底上直接生长压电薄膜带来的质量差、应力大等问题，为高频、高性能滤波器提供非常有效的材料端解决方案。
基本信息
专利标题 ：
一种声波器件用压电薄膜模板的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114362703A
申请号 ：
CN202111348050.5
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2021-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴亮付丹扬王琦琨龚建超
申请人 ：
奥趋光电技术（杭州）有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市余杭区余杭经济技术开发区顺风路503号3号楼五层518室
代理机构 ：
杭州宇信联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁群兰
优先权 ：
CN202111348050.5
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20211115
申请日 : 20211115
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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