制备薄膜半导体器件的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种制备薄膜半导体器件的方法，该方法包括采用激光束辐射非晶半导体薄膜以使非晶半导体薄膜结晶的退火步骤。在该退火步骤中，用激光束连续辐射半导体薄膜，并同时以预定速度移动激光束辐射的半导体薄膜的位置，从而可以从激光束辐射的区域中除去过剩氢，而不在半导体薄膜中发生氢离子的蒸发和扩散。

基本信息

专利标题：

制备薄膜半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1770393A

申请号：

CN200510107040.7

公开（公告）日：

2006-05-10

申请日：

2005-09-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

町田晓夫赤尾裕隆龟井隆广中尾勇

申请人：

索尼株式会社

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

张平元

优先权：

CN200510107040.7

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/20 H01L21/268 H01L21/324 H01L21/336

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

法律状态

2020-09-15 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20050927
授权公告日 : 20080409
终止日期 : 20190927

2012-12-26 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101489373244
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005101070407
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 索尼株式会社
变更后权利人 : 株式会社日本显示器西
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本爱知县
登记生效日 : 20121123

2008-04-09 ：

授权

2006-07-05 ：

实质审查的生效

2006-05-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

CN100380579C.PDF

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2、

CN1770393A.PDF

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