一种非线性光学增强氮化硅薄膜制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种非线性光学增强氮化硅薄膜制备方法，该发明属于薄膜非线性光学技术领域。该发明采用原子层薄膜沉积技术制备氮化硅薄膜，通过调控前驱物组份的化学计量比，实现氮化硅薄膜非线性光学增强的效果。具体是指将洁净的衬底放置在镀膜夹具后，利用原子层沉积方法获得氮化硅薄膜，采用流量控制方式，实现硅氮元素化学计量比控制在1：10‑10：1范围内，膜层厚度范围20‑300nm。通过Z扫描的方法测试氮化硅薄膜的非线性光学特性。根据本发明的方法制备的氮化硅薄膜性能优异，能够应用于吸收型光开关或吸收型光双稳器件等领域。另外，本发明关于一种氮化硅薄膜非线性光学增强的制备方法操作简单，制备周期短，成本低，效果显著。
基本信息
专利标题 ：
一种非线性光学增强氮化硅薄膜制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481090A
申请号 ：
CN202210038615.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄建兵杨振宇黄建明
申请人 ：
苏州领锐源奕光电科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江经济技术开发区长安路东侧12号楼1楼
代理机构 ：
北京深川专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
钟家俊
优先权 ：
CN202210038615.8
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/455 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/34
申请日 : 20220113
申请日 : 20220113
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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