一种高硬度低吸收氮化硅薄膜的制备方法
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摘要
本发明涉及一种高硬度低吸收Si3N4薄膜的制备方法，属于光学薄膜技术领域。本发明提供一种高硬度低吸收离子束溅射Si3N4薄膜的制备方法，通过采用双离子束溅射沉积技术，通过改变主离子源和辅助离子源的工艺参数，以及真空室和辅助离子源通入氮气的流量，可实现高硬度低吸收Si3N4薄膜的制备。结果表明，该方法将大大提高Si3N4薄膜的硬度和降低吸收损耗，作为最外层保护薄膜，对于高性能中波红外硬质保护薄膜窗口的制备具有重要的作用。本发明对于不同离子源参数制备Si3N4薄膜具有普适性。
基本信息
专利标题 ：
一种高硬度低吸收氮化硅薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110983279A
申请号 ：
CN201911146631.3
公开（公告）日 ：
2020-04-10
申请日 ：
2019-11-21
授权号 ：
CN110983279B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
刘华松姜玉刚何家欢王利栓季一勤
申请人 ：
天津津航技术物理研究所
申请人地址 ：
天津市东丽区空港经济区中环西路58号
代理机构 ：
中国兵器工业集团公司专利中心
代理人 ：
王雪芬
优先权 ：
CN201911146631.3
主分类号 ：
C23C14/46
IPC分类号 ：
C23C14/46 C23C14/06 G01N3/42 G01N21/31 G01N21/3563 G01N21/59
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/46
用外部离子源产生的离子束法
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-05-05 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/46
申请日 : 20191121
申请日 : 20191121
2020-04-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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