沉积薄膜高质量吸收层的方法
公开
摘要
本发明提供一种形成具有限定量的硒且具有高质量的CdSeTe薄膜的方法。所述方法包括以下步骤：提供基底衬底和在基底衬底的第一部分上沉积部分CdSeTe层。沉积部分CdSeTe层的步骤至少进行两次，其中在沉积部分CdSeTe层的两个后续步骤之间，提供不在基底衬底的第一部分上沉积部分CdSeTe层的预定时间周期。在预定时间周期期间控制基底衬底和已沉积在基底衬底的第一部分上的CdSeTe层的温度，使得Cd和/或Te从已沉积的CdSeTe层发生再蒸发。
基本信息
专利标题 ：
沉积薄膜高质量吸收层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114450807A
申请号 ：
CN201980099517.1
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2019-08-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭寿殷新建傅干华克里什纳库马·维拉潘迈克尔·哈尔巴斯蒂安·希普欣
申请人 ：
中国建材国际工程集团有限公司;CTF太阳能有限公司
申请人地址 ：
上海市普陀区中山北路2000号中期大厦27层
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
余明伟
优先权 ：
CN201980099517.1
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 C23C14/06 C23C14/24
法律状态
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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