一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积方法，包括以下步骤：在预处理衬底上分别通入钼前驱体和硫前驱体，进行原子层沉积，得到高质量二硫化钼薄膜；所述钼前驱体选自氯化钼，所述硫前驱体选自硫化氢；或所述钼前驱体选自双(叔丁基)双(二甲基氨基)钼，所述硫前驱体选自二硫化二甲基。本发明采用上述种类的钼源和硫源，利用电子层沉积技术可以获得高质量二硫化钼薄膜。该方法能选择多种前驱体，具有较高的可行性。该方法能够满足目前所需的高质量，大范围，层数可控的条件，对于二硫化钼薄膜的研究和应用有着重大意义。该方法制备的薄膜的保形性好，且表面均匀。
基本信息
专利标题 ：
一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318288A
申请号 ：
CN202011073261.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
范天庆屈芙蓉冯嘉恒夏洋何萌高圣明帅强李国庆刘晓静陶晓俊沈云华
申请人 ：
昆山微电子技术研究院
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市祖冲之南路1699号综合楼7楼
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
常亮
优先权 ：
CN202011073261.8
主分类号 ：
C23C16/30
IPC分类号 ：
C23C16/30 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/30
申请日 : 20201009
申请日 : 20201009
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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