改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台
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摘要
本实用新型公开了一种改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台，所述炉管机台具有一反应室，所述反应室内装载有硅片，所述反应室内设有两根进气管，所述进气管上分布有出气孔，其中一根进气管为上进气管，另一根进气管为下进气管。本实用新型的炉管机台中，两根进气管中的一根进气管由下至上进气，另一根进气管则由上至下进气，这样使得炉管机台的反应室中上部硅片和下部硅片表面的吹扫气体流量均匀，硅片表面都可能得到均匀充足的吹扫，各硅片表面的反应条件相近，因此上下部硅片表面沉积的薄膜厚度均匀性提高，从而显著改善炉管机台整批硅片的一致性，而且保证了机台的产能。
基本信息
专利标题 ：
改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021823883.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN213447296U
授权日 ：
2021-06-15
发明人 ：
刘鹏杰张笑华张文文
申请人 ：
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
栾美洁
优先权 ：
CN202021823883.3
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/34 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2021-06-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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