在粉末上形成薄膜的原子层沉积装置
授权
摘要
本发明提供一种在粉末上形成薄膜的原子层沉积装置，主要包括一真空腔体、一轴封装置及一驱动单元。轴封装置包括一外管体及一内管体，其中内管体设置在外管体的容置空间内。驱动单元通过外管体驱动真空腔体转动，以搅动真空腔体的反应空间内的粉末。内管体的连接空间内设置一抽气管线及一进气管线，其中抽气管线用以抽出反应空间内的气体。进气管线用以将非反应气体输送至反应空间，以扬起反应空间内的粉末，并用以将前驱物气体输送至反应空间，以在粉末的表面形成厚度均匀的薄膜。
基本信息
专利标题 ：
在粉末上形成薄膜的原子层沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112391613A
申请号 ：
CN202011254816.9
公开（公告）日 ：
2021-02-23
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
CN112391613B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
林俊成易锦良张容华古家诚
申请人 ：
鑫天虹(厦门)科技有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市厦门火炬高新区(翔安)产业区洪溪南路9号A栋102
代理机构 ：
北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
孙皓晨
优先权 ：
CN202011254816.9
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-03-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2021-02-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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