一种原子层沉积MgZnO薄膜及其研究方法和应用
实质审查的生效
摘要
本发明涉及技术领域，具体涉及一种原子层沉积MgZnO薄膜及其研究方法和应用，由如下组分进行反应制得：H2O、二乙基锌Zn(CH2CH3)2(DEZn)、一路镁源、二茂镁Mg(C5H5)2(CP2Mg)；对Hr‑ZnO衬底进行生长前表面的氧辅助的离子体预处理；二乙基锌DEZn被通入生长腔室，并在Hr‑ZnO衬底表面发生自限表面化学吸附并形成Zn(CH2CH3)*表面态；随后与通入的氧源前驱体H2O进行反应，产生ZnOH*；将反应副产物CH3CH3和余量的前驱体源清除，将镁前躯体CP2Mg与产生的表面态ZnOH*反应得到新的表面态Mg(C5H5)*；将表面态Mg(C5H5)*与通入的前驱体H2O反应获得MgOH*，将MgZnO薄膜表面喷Pt(3nm)处理之后通过EDS能谱分析来进行薄膜的成分的定性及定量分析，可得薄膜的组分。
基本信息
专利标题 ：
一种原子层沉积MgZnO薄膜及其研究方法和应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114381712A
申请号 ：
CN202210056241.2
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董美郭建军林丽君季旭刘同来孔壹右叶俊伟梁志华马佳升陈杰鑫李家蝉
申请人 ：
仲恺农业工程学院
申请人地址 ：
广东省韶关市海珠区纺织路东沙街24号
代理机构 ：
重庆莫斯专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周卫清
优先权 ：
CN202210056241.2
主分类号 ：
C23C16/40
IPC分类号 ：
C23C16/40 C23C16/455
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/40
氧化物
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/40
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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