通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明涉及通过循环沉积前体生产三元金属硅氮化物薄膜的改进方法。其改进在于使用金属氨化物和具有NH与SiH官能团的硅源作为前体，从而形成上述的金属－SiN薄膜。通过循环沉积将该前体顺序施加在基底的表面上。示范性的硅源是下式表示的单烷基氨基硅烷和肼基硅烷：(R1NH)nSiR2mH4－n－m(n＝1、2；m＝0、1、2；n+m＝＜3)；和(R32N－NH)xSiR4yH4－x－y (x＝1、2；y＝0、1、2；x+y＝＜3)其中在上式中R1－4相同或不同，各自独立地选自烷基、乙烯基、烯丙基、苯基、环烷基、氟代烷基、甲硅烷基烷基。
基本信息
专利标题 ：
通过循环沉积制备金属硅氮化物薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1821440A
申请号 ：
CN200610008986.2
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
雷新建H·思里丹达姆K·S·库思尔A·K·霍奇伯格
申请人 ：
气体产品与化学公司
申请人地址 ：
美国宾夕法尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
范赤
优先权 ：
CN200610008986.2
主分类号 ：
C23C16/448
IPC分类号 ：
C23C16/448 C23C16/52 C23C16/34
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/448
产生反应气流的方法，例如通过母体材料的蒸发或升华
法律状态
2017-07-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101755221350
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利号 : ZL2006100089862
登记生效日 : 20170626
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 气体产品与化学公司
变更后权利人 : 弗萨姆材料美国有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国宾夕法尼亚州
变更后权利人 : 美国亚利桑那州
号牌文件序号 : 101755221350
IPC(主分类) : C23C 16/448
专利号 : ZL2006100089862
登记生效日 : 20170626
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 气体产品与化学公司
变更后权利人 : 弗萨姆材料美国有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国宾夕法尼亚州
变更后权利人 : 美国亚利桑那州
2009-09-09 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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