完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法。图案化栅极与电阻的半导体材料后，以第一介电层保护多晶硅免于金属硅化，接着进行第一次金属硅化将晶体管的栅极部分金属硅化。厚层栅极则以第二介电层保护电阻免于金属硅化，接着进行第二次金属硅化使栅极完全金属硅化。
基本信息
专利标题 ：
完全金属硅化栅极与无金属硅化电阻与其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101093816A
申请号 ：
CN200610057498.0
公开（公告）日 ：
2007-12-26
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁煜明王志豪
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610057498.0
主分类号 ：
H01L21/82
IPC分类号 ：
H01L21/82 H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
法律状态
2010-07-14 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003235545
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利申请号 : 2006100574980
公开日 : 20071226
号牌文件序号 : 101003235545
IPC(主分类) : H01L 21/82
专利申请号 : 2006100574980
公开日 : 20071226
2008-02-20 ：
实质审查的生效
2007-12-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
