移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法
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摘要
本发明揭示一种移除半导体工艺中栅极上的金属硅化物层的方法。其中，栅极、金属硅化物层、间隙壁，氮化硅盖层、及介电层均已形成。本发明的方法包括下列步骤：首先，进行一化学机械抛光工艺，以抛光介电层，并以氮化硅盖层为抛光终止层，而暴露栅极上方的氮化硅盖层；接着，移除露出的氮化硅盖层以暴露栅极上的金属硅化物层；最后，进行一第一蚀刻工艺以移除栅极上的金属硅化物层。
基本信息
专利标题 ：
移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967790A
申请号 ：
CN200510124739.4
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈正坤吴至宁萧维沧余文福
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510124739.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/3213
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2009-09-23 ：
授权
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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