解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法
专利申请权、专利权的转移
摘要
本发明公开了一种解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法，在现有工艺进行金属硅化物沉淀前先沉淀一层二氧化硅膜，然后进行一次光刻，保护住STI部分并且向两侧延伸，再通过刻蚀去除未保护部分二氧化硅膜。本发明方法可以解决由于STI边缘的凹陷小角的存在，导致的难溶金属硅化物生长沉淀的过程中沿着凹陷小角向下延伸的问题。
基本信息
专利标题 ：
解决金属硅化物沉淀沿STI边缘小角向下延伸的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1983527A
申请号 ：
CN200510111552.0
公开（公告）日 ：
2007-06-20
申请日 ：
2005-12-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈晓波陈华伦胡君
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111552.0
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2014-02-05 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101689528660
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2005101115520
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
号牌文件序号 : 101689528660
IPC(主分类) : H01L 21/76
专利号 : ZL2005101115520
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 上海华虹NEC电子有限公司
变更后权利人 : 上海华虹宏力半导体制造有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
登记生效日 : 20140108
2009-04-01 ：
授权
2007-08-15 ：
实质审查的生效
2007-06-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN100474555C.PDF
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2、
CN1983527A.PDF
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