改进器件性能的双硅化物工艺
专利权的终止
摘要
一种半导体结构及其形成方法，包括具有p型器件区(20)和n型器件区(10)的衬底；到n型器件区(10)的第一型硅化物触点(30)；第一型硅化物具有与n型器件区导带基本上对齐的功函数；以及到p型器件区(20)的第二型硅化物触点(35)；第二型硅化物具有与p型器件区价带基本上对齐的功函数。本发明也提供一种半导体结构及其形成方法，其中选择硅化物触点材料和硅化物触点处理条件以提供pFET和nFET器件中基于应变的器件改进。
基本信息
专利标题 ：
改进器件性能的双硅化物工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124671A
申请号 ：
CN200580047269.4
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
约汉·J.·爱丽斯－蒙娜甘戴尔·W.·马丁威廉·J.·墨菲詹姆斯·S.·纳考斯科克·皮特森
申请人 ：
国际商业机器公司
申请人地址 ：
美国纽约
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN200580047269.4
主分类号 ：
H01L21/8238
IPC分类号 ：
H01L21/8238 H01L29/772 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
H01L21/8238
互补场效应晶体管，例如CMOS
法律状态
2012-02-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101192316239
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005800472694
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20101221
号牌文件序号 : 101192316239
IPC(主分类) : H01L 21/8238
专利号 : ZL2005800472694
申请日 : 20051221
授权公告日 : 20090826
终止日期 : 20101221
2009-08-26 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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