用于制造具有改进特性的碳化硅半导体器件的工艺
公开
摘要
本公开涉及用于制造具有改进特性的碳化硅半导体器件的工艺。一种用于制造碳化硅半导体器件的工艺包括提供具有衬底的碳化硅晶片。在衬底上实行用于形成外延层的外延生长，该外延层具有顶表面。在实行外延生长的步骤之后，工艺包括从顶表面开始去除外延层的表面部分的步骤，从而去除由于在先前外延生长期间位错从衬底的传播而存在于顶表面处的表面损伤，并且从而限定基本没有缺陷的所得顶表面。
基本信息
专利标题 ：
用于制造具有改进特性的碳化硅半导体器件的工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300352A
申请号 ：
CN202110762512.1
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-07-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
N·皮卢索A·塞维利诺S·里纳尔迪A·马泽奥L·卡多A·鲁索G·弗兰科A·巴西
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
李春辉
优先权 ：
CN202110762512.1
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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