一种半导体器件静电放电特性的改进方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明是关于改善静电放电(E.S.D)特性的方法。尤其是对于改善半导体器件E.S.D特征的方法，本发明不采用E.S.D保护图形，通过使n+区与隔离层之间的实际空间大于n+区与半导体衬底间的实际空间引入纵向击穿，从而可使E.S.D特性提高到2000伏左右。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体器件静电放电特性的改进方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062995A
申请号 ：
CN91103565.6
公开（公告）日 ：
1992-07-22
申请日 ：
1991-05-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳荣益朴侍弘
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
南朝鲜京畿道水原市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
杨国旭
优先权 ：
CN91103565.6
主分类号 ：
H01L23/58
IPC分类号 ：
H01L23/58 H01L21/328 H01L21/322
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/58
其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
法律状态
1994-07-06 ：
专利申请的视为撤回
1992-07-22 ：
公开
1991-10-16 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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