一种静电放电保护器件

授权

摘要

本申请提供了一种静电放电保护器件，包括：半导体衬底、半导体外延层、第一阱区、第二阱区、第一掺杂区、第二掺杂区、第一电极、第二电极、第一金属柱、第二金属柱、第一金属凸点，第二金属凸点和六面塑封体，半导体外延层位于半导体衬底上方；第一阱区与相间设置的第二阱区位于半导体外延层中；第一、第二掺杂区分别位于第一、第二阱区中；第一电极、第二电极分别位于第一掺杂区接触孔及第二掺杂区接触孔的上方；第一金属柱、第二金属柱分别位于第一电极及第二电极上方；第一金属凸点、第二金属凸点分别位于第一金属柱及第二金属柱上；六面塑封体对第一金属凸点、第二金属凸点、半导体衬底、半导体外延层进行六面塑封。可以提高浪涌保护能力。

基本信息

专利标题：

一种静电放电保护器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020751156.4

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-09

授权号：

CN211605156U

授权日：

2020-09-29

发明人：

庄翔张超

申请人：

捷捷半导体有限公司

申请人地址：

江苏省南通市崇川区苏通科技产业园区井冈山路6号

代理机构：

北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

刘亚飞

优先权：

CN202020751156.4

主分类号：

H01L27/02

IPC分类号：

H01L27/02 H01L21/8222 H01L21/331