针对静电放电的保护器件
授权
摘要
本公开的实施例涉及针对静电放电的保护器件。第一导电类型的半导体衬底被涂覆有第二导电类型的半导体层。第二导电类型的掩埋区域形成在半导体衬底与半导体层之间的界面。第一导电类型的第一阱和第二阱提供在半导体层中。第二导电类型的第二区域在第一阱中形成。第二导电类型的第三区域在第二阱中形成。第一阱、半导体层、第二阱和第三区域形成第一横向晶闸管。第二阱、半导体层、第一阱和第二区域形成第二横向晶闸管。掩埋区域和半导体衬底形成齐纳二极管，该齐纳二极管设置横向晶闸管的触发电压。本公开的实施例能够使针对静电放电保护的器件结构更加紧凑。
基本信息
专利标题 ：
针对静电放电的保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020478895.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-03
授权号 ：
CN212342624U
授权日 ：
2021-01-12
发明人 ：
E·拉孔德O·奥里
申请人 ：
意法半导体(图尔)公司
申请人地址 ：
法国图尔
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202020478895.0
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-01-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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