功率器件静电放电保护电路
授权
摘要
本实用新型涉及一种功率器件静电放电保护电路，在N型井、第二P型井增加了一个N+桥区，利用N+桥区的击穿特来降低第二P型井的触发点电压。在N型井设置第三P+区，提高器件的响应速度。在第二P型井中，N+桥区与第二N+型区之间有栅极，形成一个NMOS(N+桥区、第二N+型区分别作为源极与漏极，栅极的电压在N+桥区、第二N+型区之间表面形成的电子沟道，可以改善第二个NPN双极晶体管QN2的导通速度。
基本信息
专利标题 ：
功率器件静电放电保护电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021809250.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-26
授权号 ：
CN212485327U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
金宰年叶宏伦钟其龙刘崇志张本义钟健
申请人 ：
璨隆科技发展有限公司;阿克苏爱矽卡半导体技术研发有限公司;新疆璨科半导体材料制造有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区秣周东路12号未来科技城U谷R410
代理机构 ：
厦门市新华专利商标代理有限公司
代理人 ：
罗恒兰
优先权 ：
CN202021809250.7
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/06
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212485327U.PDF
PDF下载
