单向负阻静电放电保护器件
授权
摘要
本申请提供了一种单向负阻静电放电保护器件，包括：衬底、外延层、第一阱区、第二阱区、第三阱区，第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第一电极、第二电极、第三电极，外延层位于衬底的正面上方；第一阱区位于外延层内并与衬底相连；第二阱区以及第三阱区相间位于外延层内；第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区分别位于第一阱区、第二阱区及第三阱区内；第一电极位于第二掺杂区接触孔上方，第二电极位于第一掺杂区接触孔至第三掺杂区接触孔的上方，第一、第二、第三掺杂区接触孔为在退火后的外延层、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区的表面形成的层间介质层上，通过工艺处理分别形成的；第三电极位于衬底的背面。可以提高浪涌防护能力。
基本信息
专利标题 ：
单向负阻静电放电保护器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020751159.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-09
授权号 ：
CN211654822U
授权日 ：
2020-10-09
发明人 ：
庄翔张超
申请人 ：
捷捷半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市崇川区苏通科技产业园区井冈山路6号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘亚飞
优先权 ：
CN202020751159.8
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L21/8222 H01L21/331
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2020-10-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN211654822U.PDF
PDF下载
