一种具有双负阻特性的负阻器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提出并研制成一种具有双负阻特性的复合式三端半导体负阻器件，该器件由一横向pnp双极管、-n沟耗尽型MOS管和电阻Rc通过适当方式相互联接而成。该器件具有(1)电压控制型和电流控制型双负阻特性；(2)正阻区和负阻区值都便于控制；(3)制造工艺易与CMOS工艺相容等优点。在0.1～10MHz频率范围内，它可以分立器件形式或作为集成电路的一部分，构成振荡器、单稳电路、双稳电路、逆变器、开关电路。
基本信息
专利标题 ：
一种具有双负阻特性的负阻器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1083268A
申请号 ：
CN92105623.0
公开（公告）日 ：
1994-03-02
申请日 ：
1992-07-22
授权号 ：
CN1035849C
授权日 ：
1997-09-10
发明人 ：
郭维廉
申请人 ：
天津大学
申请人地址 ：
300072天津市南开区卫津路92号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN92105623.0
主分类号 ：
H01L27/26
IPC分类号 ：
H01L27/26
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法律状态
1998-09-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-09-10 ：
授权
1996-01-17 ：
实质审查请求的生效
1994-03-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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