一种消除负阻效应的横向RC-IGBT器件结构
实质审查的生效
摘要
本发明提供了一种消除负阻效应的横向RC‑IGBT器件结构。该横向RC‑IGBT器件与在传统的横向IGBT器件相比，在器件的漂移区中心处存在氧化物隔离区域，且在该氧化物隔离区域内部存在一个低掺杂的硅区域。由于上述氧化物的隔离作用，在氧化物下方是传统的IGBT区域，因此可以正常导通正向导通模式的双极电流，且不存在负阻效应。在氧化物上方是续流二极管区域，因此可以正常导通反向导通模式的双极电流。通过调整氧化物上方和下方所占面积的比例，可以调整IGBT和续流二极管的性能分布。
基本信息
专利标题 ：
一种消除负阻效应的横向RC-IGBT器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373749A
申请号 ：
CN202111576801.9
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王颖张孝冬包梦恬曹菲
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨舟涛
优先权 ：
CN202111576801.9
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L29/06 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/06
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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