一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构
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摘要
本发明提供了一种消除负阻效应的RC‑IGBT器件。该RC‑IGBT器件与传统器件相比，在N型集电区和P型集电区上方有混合交替排列的N型和P+型缓冲层，且最靠近N型集电区的P+柱边缘超过N型缓冲层。由于上述混合交替排列N型和P型的缓冲层对场截止区的多区段的隔离作用，电子或空穴需要爬过多个P型区域，增长了载流子运动路径，从而增大了RC‑IGBT器件在导通初期N型集电区上方电势差，使得该PN结更容易开启，器件更容易从单极导通转换为双极导通，进而抑制了RC‑IGBT器件在导通初期所产生的Snapback效应。
基本信息
专利标题 ：
一种消除负阻效应的RC-IGBT器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111211167A
申请号 ：
CN202010023986.X
公开（公告）日 ：
2020-05-29
申请日 ：
2020-01-09
授权号 ：
CN111211167B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
王颖张孝冬于成浩曹菲
申请人 ：
杭州电子科技大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
代理机构 ：
杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
杨舟涛
优先权 ：
CN202010023986.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-06-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20200109
申请日 : 20200109
2020-05-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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