阻变存储器件
授权
摘要
一种阻变存储元件包括：下电极；可变电阻层，其设置在下电极上，并且被配置为包括含氧碳结构；阻挡层，其设置在可变电阻层上，并且被配置为包括能够被可逆地氧化和还原的含氧物质；以及上电极，其设置在阻挡层上。
基本信息
专利标题 ：
阻变存储器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109037436A
申请号 ：
CN201810536610.1
公开（公告）日 ：
2018-12-18
申请日 ：
2018-05-30
授权号 ：
CN109037436B
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
李相宪
申请人 ：
爱思开海力士有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王建国
优先权 ：
CN201810536610.1
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
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法律状态
2022-04-05 ：
授权
2019-01-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 45/00
申请日 : 20180530
申请日 : 20180530
2018-12-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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