一种ZnO:Li阻变存储器
授权
摘要
本实用新型公开了一种ZnO:Li阻变存储器，所述存储器包括衬底(1)和设置在其上的单个或多个阻变单元，其中，所述阻变单元包括依次设置的底电极(2)、阻变层(3)和顶电极(4)，所述阻变层(3)为Li掺杂ZnO薄膜(ZnO:Li)。本实用新型所公开的ZnO:Li阻变存储器能够显著提升阻变存储器的性能，使其具有长的保持时间和优异的耐久性。
基本信息
专利标题 ：
一种ZnO:Li阻变存储器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921471973.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-05
授权号 ：
CN210272427U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
赵晓锋李易温殿忠
申请人 ：
黑龙江大学
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
代理机构 ：
北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张玉玲
优先权 ：
CN201921471973.8
主分类号 ：
H01L45/00
IPC分类号 ：
H01L45/00
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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